電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗國家標(biāo)準(zhǔn)匯編
一、GB/T2423
有以下51
個標(biāo)準(zhǔn)組成:
1
GB/T 2423.1-2001 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗A:
低溫
2
GB/T 2423.2-2001 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗B:
高溫
3
GB/T 2423.3-1993 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Ca:
恒定濕熱試驗方法
4
GB/T 2423.4-1993 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Db:
交變濕熱試驗方法
5
GB/T 2423.5-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:試驗方法 
試驗Ea
和導(dǎo)則:
沖擊
6
GB/T 2423.6-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Eb
和導(dǎo)則: 
碰撞
7
GB/T 2423.7-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Ec
和導(dǎo)則:
傾跌與翻倒 (
主要用于設(shè)備型樣品)
8
GB/T 2423.8-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Ed:
自由跌落
9
GB/T 2423.9-2001 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Cb:
設(shè)備用恒定濕熱
10
GB/T 2423.10-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Fc
和導(dǎo)則:
振動(
正弦)
11
GB/T 2423.11-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Fd:
寬頻帶隨機振動--
一般要求
12
GB/T 2423.12-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Fda:
寬頻帶隨機振動--
高再現(xiàn)性
13
GB/T 2423.13-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Fdb:
寬頻帶隨機振動 
中再現(xiàn)性
14
GB/T 2423.14-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Fdc:
寬頻帶隨機振動 
低再現(xiàn)性
15
GB/T 2423.15-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Ga
和導(dǎo)則:
穩(wěn)態(tài)加速度
16
GB/T 2423.16-1999 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗J
和導(dǎo)則:
長霉
17
GB/T 2423.17-1993 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Ka:
鹽霧試驗方法
18
GB/T 2423.18-2000 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗--
試驗Kb:
鹽霧,
交變(
氯化鈉溶液)
19
GB/T 2423.19-1981 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Kc:
接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法
20
GB/T 2423.20-1981 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Kd:
接觸點和連接件的硫化氫試驗方法
21
GB/T 2423.21-1991 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗 M:
低氣壓試驗方法
22
GB/T 2423.22-2002 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗N:
溫度變化
23
GB/T 2423.23-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
試驗Q:
密封
24
GB/T 2423.24-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Sa:
模擬地面上的太陽輻射
25
GB/T 2423.25-1992 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Z/AM:
低溫/低氣壓綜合試驗
26
GB/T 2423.26-1992 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Z/BM:
高溫/低氣壓綜合試驗
27
GB/T 2423.27-1981 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Z/AMD:
低溫/
低氣壓 /
濕熱連續(xù)綜合試驗方法
28
GB/T 2423.28-1982 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗T:
錫焊試驗方法
29
GB/T 2423.29-1999 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗U:
引出端及整體安裝件強度
30
GB/T 2423.30-1999 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗XA
和導(dǎo)則:
在清洗劑中浸漬
31
GB/T 2423.31-1985 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
傾斜和搖擺試驗方法
32
GB/T 2423.32-1985 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
潤濕稱量法可焊性試驗方法
33
GB/T 2423.33-1989 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Kca:
高濃度二氧化硫試驗方法
34
GB/T 2423.34-1986 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Z/AD:
溫度/
濕度組合循環(huán)試驗方法
35
GB/T 2423.35-1986 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Z/AFc:
散熱和非散熱試驗樣品的低溫/
振動(
正弦)
綜合試驗方法
36
GB/T 2423.36-1986 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Z/BFc:
散熱和非散熱樣品的高溫/
振動(
正弦)
綜合試驗方法
37
GB/T 2423.37-1989 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗 L:
砂塵試驗方法
38
GB/T 2423.38-1990 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗 R:
水試驗方法
39
GB/T 2423.39-1990 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
試驗Ee:
彈跳試驗方法
40
GB/T 2423.40-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Cx:
未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41
GB/T 2423.41-1994 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
風(fēng)壓試驗方法
42
GB/T 2423.42-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
低溫/
低氣壓/
振動(
正弦)
綜合試驗方法
43
GB/T 2423.43-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea)
、碰撞(Eb)
、振動(Fc
和Fb)
和穩(wěn)態(tài)加速度(Ca)
等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則
44
GB/T 2423.44-1995 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
**部分:
試驗方法 
試驗Eg:
撞擊 
彈簧錘
45
GB/T 2423.45-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:試驗方法 
試驗Z/ABDM
:氣候順序
46
GB/T 2423.46-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:試驗方法 
試驗Ef
:撞擊 
擺錘
47
GB/T 2423.47-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Fg:
聲振
48
GB/T 2423.48-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Ff:
振動--
時間歷程法
49
GB/T 2423.49-1997 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Fe:
振動--
正弦拍頻法
50
GB/T 2423.50-1999 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Cy:
恒定濕熱主要用于元件的加速試驗
51
GB/T 2423.51-2000 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
第2
部分:
試驗方法 
試驗Ke:
流動混合氣體腐蝕試驗
二、GB2421-89
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
總則
三、GB/T2422-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 
術(shù)語
四、GB2424
1.GB2424.1-89
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
高溫低溫試驗導(dǎo)則
2.GB/T2424.2-93
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
濕熱試驗導(dǎo)則
3.GB/T2424.9-90
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
長霉試驗導(dǎo)則
4.GB/T2424.10-93
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
大氣腐蝕加速試驗的通用導(dǎo)則
5.GB/T2424.11-82
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
接觸點和鏈接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則
 
6.GB/T2424.12-82
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則
7.GB/T2424.13-81
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
溫度變化試驗導(dǎo)則
8.GB/T2424.14-1995
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
第2
部分 
:試驗方法 
太陽輻射試驗導(dǎo)則
9.GB/T2424.15-92
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
溫度/
低氣壓綜合試驗導(dǎo)則
10.GB/T2424.17-1995
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
錫焊試驗導(dǎo)則
11.GB/T2424.18-82
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
在清洗濟中浸漬試驗導(dǎo)則
12.GB/T2424.19-84
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
模擬儲存影響的環(huán)境試驗導(dǎo)則
13.GB/T2424.20-85
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
傾斜和搖擺試驗導(dǎo)則
14.GB/T2424.21-85
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
潤濕稱量法可焊性試驗導(dǎo)則
15.GB/T2424.22-86
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
溫度(低溫、高溫)和振動(正 
玄)綜合試驗導(dǎo)則
16.GB/T2424.23-90
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 
水試驗導(dǎo)則
17.GB/T2424.24-1995
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程
溫度(低溫、高溫)
/
低氣壓
/
振動(正玄)綜合試驗導(dǎo)則